for some disscutions of ICCMAX and vddq unlocking on q1hy modt

主板在启动的初始化阶段禁用了VR Current Limit选项，所以即使用AMIBCP或者uefi tool修改了对应 的数值，在启动阶段也不会生效。

主板在bios初始化阶段（DXE）会对CPU内部virtual msr寄存器进行读写操作以用于初始化CPU，其中 就包括了设置ICCMAX电流墙。

具体实现如下：

写入：
wrmsr 0x150 0x8000001700000280

读取：
wrmsr 0x150 0x8000001600000000
rdmsr 0x150

寄存器地址为0x150，设定值为十六进制的0x280，转换为10进制为640，电流墙则为其1/4即160A。

找到主板禁用VR Current Limit选项的代码，用IDA跳过代码

在DXE阶段插入上述指令使其每次启动都能执行，十六进制代码如下
BA 17 00 00 80 B8 20 03 00 00 B9 50 01 00 00 0F 30

1. 用 UEFI Tool。 打开想要解锁电流墙的 bios（module文件夹下已提供）
   
2. 按ctrl+F弹出搜索框，在Text选项卡中搜索acpidebug
3. 双击底部的搜索结果会跳转到AcpiDebugDxe模块
   
4. 选择PE32 image section 项目，右键选择Replace body
   
5. 选择module文件夹下的Section_PE32_image_AcpiDebug_AcpiDebugDxe_body_XXXa.efi 文件，一共提供了200a和400a两个，自行选择需要解锁的电流墙文件即可。选择后点击打开
6. 打开后如下图所示
   
7. 选择右上角file->Save image file保存即可，后续按正常流程刷入即可。
8. 解锁400a电流墙效果如下
   

主板默认开启ring down bin模式且无法通过主板的选项将其关闭， 所以这里提供另一种思路用于ring超频。

具体实现如下：

写入：
wrmsr 0x620 0x000000000000XXYY

其中XX代表最小频率、YY代表最大频率

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此系列modt主板使用的内存PWM芯片为APW8828
电路图如下
输出电压是通过调节FB引脚上的Rtop和Rgnd来实现的

这里补一张电路图实测，感谢天邦群友绘制的电路图

由于出厂时少了一组三极管和电阻，结合电压计算公式带入Rtop和Rgnd， 在3号三极管截至的情况下，最高电压为1.38V， 即bios内存电压选项中的1.35V；当3号三极管导通，Rgnd整体阻值降低，内存电压也来到1.25V，即 bios内存电压选项的1.23V.

修改配置电阻Rtop的阻值，将其从2.68K欧姆调整为3.2K欧姆，则可实现1.5v的vddq，且不需要修改bios选项, 此时bios内存vddq电压的1.35V即为1.5V,同时原本的1.23v档位的内存电压即为1.35V。
这个就根据自己内存情况来调整阻值就行。

补齐三极管和对应的电阻，电阻阻值7.5K欧姆，这样可以实现4档内存电压即1.23V、1.35V、1.5V和1.6V（好像1.6v档位会导致不开机）
另外还有个元件在空的三极管左边，感觉是滤波电容，可以不用管。

此方法需要修改bios调出隐藏的VDDQ 1.5V和1.6V选项。
bios文件可以找b站用户：just我觉得。

重要：修改后先拆除内存和硬盘再上电， 用万用表测量vddq电压在合理范围（1.2v-1.6v）内再插内存， vddq电压在主板24pin端口处能测量到，如下图